École Nationale Supérieure de
Techniques Avancées

Résumé

A l’échelle atomique, la diffusion se fait par échanges entre les atomes du cristal et les défauts ponctuels. Toutefois, dans le silicium, les contributions des différents mécanismes, notamment lacunaires et interstitiels, sont encore difficilement quantifiables. L’objectif de cette étude est donc de développer des nouveaux modèles et des nouvelles méthodes afin de mieux décrire ces phénomènes, en prenant en compte l’effet de l’application de champs de contrainte, d’une force motrice non-homogène ainsi que des corrélations cinétiques. Les recherches seront menées a l’aide de calculs analytiques de champ moyen auto-cohérent (SCMF) et de simulations Monte-Carlo Atomique Cinétique (AKMC).