FONTAINE, Gauthier (2016) Etude des propriétés de diffusion dans le silicium. PFE - Project Graduation, ENSTA.

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Abstract

A l’échelle atomique, la diffusion se fait par échanges entre les atomes du cristal et les défauts ponctuels. Toutefois, dans le silicium, les contributions des différents mécanismes, notamment lacunaires et interstitiels, sont encore difficilement quantifiables. L’objectif de cette étude est donc de développer des nouveaux modèles et des nouvelles méthodes afin de mieux décrire ces phénomènes, en prenant en compte l’effet de l’application de champs de contrainte, d’une force motrice non-homogène ainsi que des corrélations cinétiques. Les recherches seront menées a l’aide de calculs analytiques de champ moyen auto-cohérent (SCMF) et de simulations Monte-Carlo Atomique Cinétique (AKMC).

Item Type:Thesis (PFE - Project Graduation)
Uncontrolled Keywords:Diffusion, auto-diffusion, silicium, défauts ponctuels, AKMC, SCMF, corrélations cinétiques.
Subjects:Materials Science, Mechanics and Mechanical Engineering
Physics, Optics
ID Code:6849
Deposited By:Gauthier Fontaine
Deposited On:19 janv. 2017 11:02
Dernière modification:19 janv. 2017 11:02

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